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CS5230E是一款采用CMOS工藝，電容式升壓GF類(lèi)單聲道音頻功放，可以為4歐的負(fù)載提供最高5W的邊續(xù)功率；CS5230E芯片內(nèi)部固定的28倍增益，有效的減少了外圍元器件的數(shù)量；功放集成了D類(lèi)和AB類(lèi)兩種工作模式即可保證D類(lèi)模式下強(qiáng)勁的功率輸出，又可兼顧系統(tǒng)在有FM的情況下，消除功放對(duì)系統(tǒng)的干擾；CS5230E具有獨(dú)特的防破音（CNC）功能，可根據(jù)輸出信號(hào)的大小自動(dòng)調(diào)整功放的增益，實(shí)現(xiàn)更加舒適的聽(tīng)覺(jué)感受，CS5230E還具備電源自適應(yīng)能力，當(dāng)電源電壓低的時(shí)候，功放會(huì)自動(dòng)降低增益，從而減少功放的輸出功率。

CS5230E的外圍只有低成本的阻容器件，在以鋰電池供電的移動(dòng)式音頻設(shè)備中，CS5230E是理想的音頻子系統(tǒng)的功放解決方案。CS5230E的全差分架構(gòu)和極高的PSRR有效地提高了CS5230E對(duì)RF噪聲的的抑制能力。另外CS5230E內(nèi)置了過(guò)流保護(hù)，短路保護(hù)和過(guò)熱保護(hù)，有效的保護(hù)芯片在異常的工作條件下不被損壞。

CS5230E提供了ESOOP10封裝類(lèi)型，其額定的工作溫度范圍為-40度至85度。

特征

集成Charge Pump升壓模塊，集成AB類(lèi)D類(lèi)兩種工作模式GF類(lèi)音頻功放，先進(jìn)的電源自適應(yīng)功能

輸出功率

Po at VBAT=5.0V,RL=4Ω+33uH

THD+N=10% 5.2W（D Mode NCN OFF）

THD+N=1% 4.3W（D Mode NCN OFF）

Po at VBAT=4.2V,RL=4Ω+33uH

THD+N=10% 4.8W（D Mode NCN OFF）

THD+N=1% 4.1W（D Mode NCN OFF）

Po at VBAT=3.6V,RL=4Ω+33Uh

THD+N=10%3.45W（D Mode NCN OFF）

THD+N=1% 3W（D Mode NCN OFF）

輸入電壓范圍：2.7-5.5V

關(guān)斷電流：<1Ua

待機(jī)電流3mA

D類(lèi)調(diào)制頻率：300KHz

防破音模式開(kāi)關(guān)

AERC專(zhuān)利技術(shù)，提供優(yōu)異的全帶寬EMI抑制能力

優(yōu)異的”噼噼-咔嗒”(pop-noise)雜音抑制能力

高的電源抑制比（PSRR）：在217Hz下為-80Db

過(guò)溫保護(hù)

過(guò)壓保護(hù)

應(yīng)用

藍(lán)牙音箱 便攜式音頻設(shè)備

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