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一、概述 
SP6649HF 是一顆電流模式PWM 控制芯片，內(nèi)置650V 高壓功率MOSFET，應(yīng)用于功率在30W以
內(nèi)的方案。SP6649HF 在PWM 模式下工作于固定開(kāi)關(guān)頻率，這個(gè)頻率是由內(nèi)部精確設(shè)定。在空載或者
輕載時(shí)，工作頻率由IC內(nèi)部調(diào)整。芯片可以工作在綠色模式，以此來(lái)減小輕載時(shí)的損耗，提高整機(jī)的
工作效率。SP6649HF 在啟動(dòng)和工作時(shí)只需要很小的電流，可以在啟動(dòng)電路中使用一個(gè)很大的電阻，以
此來(lái)進(jìn)一步減小待機(jī)時(shí)的功耗。芯片內(nèi)置有斜坡補(bǔ)償電路，當(dāng)電路工作于大占空比時(shí)，避免次諧波振
蕩的發(fā)生，改善系統(tǒng)的穩(wěn)定性。內(nèi)置有前沿消隱時(shí)（Leading-edge blanking time） ，消除緩沖網(wǎng)絡(luò)中的二
極管反向恢復(fù)電流對(duì)電路的影響。SP6649HF 采用了抖頻技術(shù)，能夠有效改善系統(tǒng)的EMI 性能。系統(tǒng)
的跳頻頻率設(shè)置在音頻(22KHz)以上，在工作時(shí)可以避免系統(tǒng)產(chǎn)生噪音。SP6649HF 內(nèi)置多種保護(hù)，包
括逐周期限流保護(hù) （OCP） ， 過(guò)載保護(hù) （OLP） ， 過(guò)壓保護(hù) （VDD OVP） ， VDD 過(guò)壓箝位， 欠壓保護(hù) （UVLO） ，
過(guò)溫保護(hù)（OTP）等，通過(guò)內(nèi)部的圖騰柱驅(qū)動(dòng)結(jié)構(gòu)可以更好的改善系統(tǒng)的EMI 特性和開(kāi)關(guān)的軟啟動(dòng)控
制。 
 
 
二、特點(diǎn) 
?  全電壓范圍（90Vac-265Vac）輸入時(shí)待機(jī)功耗小于75mW 
?  內(nèi)置650V 高壓功率管 
?  4ms軟啟動(dòng)用來(lái)減少M(fèi)OSFET 上Vds 的應(yīng)力 
?  抖頻功能，改善EMI 性能 
?  跳頻模式，改善輕載效率，減小待機(jī)功耗 
?  無(wú)噪聲工作 
?  固定65KHz 開(kāi)關(guān)頻率 
?  內(nèi)置同步斜坡補(bǔ)償 
?  低啟動(dòng)電流，低工作電流 
?  內(nèi)置前沿消隱(LEB)功能 
?  過(guò)載保護(hù)（OLP） ，逐周期限流保護(hù)（OCP） 
?  VDD 過(guò)壓保護(hù)（VDD OVP） ，欠壓保護(hù)（UVLO） ，VDD 電壓箝位 
?  過(guò)溫保護(hù)（OTP） 
?  SOP8 無(wú)鉛封裝