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例: SP1231F|SP1233FL|SW6124|SW6106|CS8626

無錫硅動(dòng)力推出國(guó)內(nèi)首款PD18W充電器方案,SP6648HF,內(nèi)置MOS,貼片封裝

作者:上大科技發(fā)布日期:2021-05-24 07:52:41瀏覽人數(shù):727

一、概述 
       SP6648HF是一顆電流模式PWM控制芯片,內(nèi)置 650V高壓功率MOSFET,應(yīng)用于功率在18W以

內(nèi)的方案。

       SP6648HF在 PWM模式下工作于固定開關(guān)頻率,這個(gè)頻率是由內(nèi)部精確設(shè)定。在空載或者輕載時(shí),工作頻率由IC 內(nèi)部調(diào)整。芯片可以工作在綠色模式,以此來減小輕載時(shí)的損耗,提高整機(jī)的工作效率。

       SP6648HF在啟動(dòng)和工作時(shí)只需要很小的電流,可以在啟動(dòng)電路中使用一個(gè)很大的電阻,以此來進(jìn)一步減小待機(jī)時(shí)的功耗。芯片內(nèi)置有斜坡補(bǔ)償電路,當(dāng)電路工作于大占空比時(shí),避免次諧波振蕩的發(fā)生,改善系統(tǒng)的穩(wěn)定性。內(nèi)置有前沿消隱時(shí)(Leading-edge blanking time),消除緩沖網(wǎng)絡(luò)中的二極管反向恢復(fù)電流對(duì)電路的影響。

       SP6648HF采用了抖頻技術(shù),能夠有效改善系統(tǒng)的 EMI性能。系統(tǒng)的跳頻頻率設(shè)置在音頻(22KHz)以上,在工作時(shí)可以避免系統(tǒng)產(chǎn)生噪音。

       SP6648HF內(nèi)置多種保護(hù),包括逐周期限流保護(hù)(OCP),過載保護(hù)(OLP),過壓保護(hù)(VDD OVP), VDD 過壓箝位,欠壓保護(hù)(UVLO),過溫保護(hù)(OTP)等,通過內(nèi)部的圖騰柱驅(qū)動(dòng)結(jié)構(gòu)可以更好的改善系統(tǒng)的EMI特性和開關(guān)的軟啟動(dòng)控制。 

二、特點(diǎn) 
       ?  全電壓范圍(90Vac-265Vac)輸入時(shí)待機(jī)功耗小于 100mW 
       ?  內(nèi)置650V 高壓功率管 
       ?  4ms軟啟動(dòng)用來減少M(fèi)OSFET 上Vds的應(yīng)力 
       ?  抖頻功能,改善EMI性能 
       ?  跳頻模式,改善輕載效率,減小待機(jī)功耗 
       ?  無噪聲工作 
       ?  固定65KHz開關(guān)頻率 
       ?  內(nèi)置同步斜坡補(bǔ)償 
       ?  低啟動(dòng)電流,低工作電流 
       ?  內(nèi)置前沿消隱(LEB)功能 
       ?  過載保護(hù)(OLP),逐周期限流保護(hù)(OCP) 
       ?  VDD 過壓保護(hù)(VDD OVP) ,欠壓保護(hù)(UVLO),VDD 電壓箝位 
       ?  過溫保護(hù)(OTP) 

       ?  SOP8 無鉛封裝 

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